Главная » 03.00.00. ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ » Бакалавриат » ВКР » Типы ресурсов » 03.03.02 Физика, профиль: Физика полупроводников
Багрова А. В. Учет эффекта подложки при компактном моделировании тока насыщения короткоканального МОП-транзистора
Багрова А. В. Учет эффекта подложки при компактном моделировании тока насыщения короткоканального МОП-транзистора : выпускная квалификационная работа (ВКР) по направлению подготовки 03.03.02 - Физика, направленность (профиль) «Физика полупроводников» / А. В. Багрова ; рук. В. О. Турин. - Орел : [б. и.], 2024. – 46 с.
Для того чтобы скачать файл, Вам необходимо войти или зарегистрироваться.
- 11.07.2024, 17:33