н¥y

Ставцев Андрей Сергеевич. Разработка поведенческой динамической модели IGBT транзистора, идентифицируемой по каталожным данным

Ставцев А.С. Разработка поведенческой динамической модели IGBT транзистора, идентифицируемой по каталожным данным: Выпускная квалификационная работа магистра по направлению подготовки 11.04.03 - Конструирование и технология электронных средств. / Ставцев А.С.; рук. С.Л. Косчинский - Орёл, [б.и] - 62 с.

Для того чтобы скачать файл, Вам необходимо войти или зарегистрироваться.