Ставцев Андрей Сергеевич. Разработка поведенческой динамической модели IGBT транзистора, идентифицируемой по каталожным данным
Ставцев А.С.
Разработка поведенческой динамической модели IGBT транзистора, идентифицируемой по каталожным данным: Выпускная квалификационная работа магистра по направлению подготовки 11.04.03 - Конструирование и технология электронных средств. / Ставцев А.С.; рук. С.Л. Косчинский - Орёл, [б.и] - 62 с.
- 03.07.2019, 13:37
- Подробнее
